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20 frases de una lectura

El RAM es cumplido por la anotación, el almacenaje y la lectura de la información cualquiera binaria. Es el mecanismo básico de la memoria de los sistemas digitales, en que están los programas que determinan el proceso del tratamiento corriente de la información y el macizo de los datos tratados. Los sistemas modernos digitales del RAM se basan de los microesquemas especiales de la memoria, que se unen en el bloque correspondiente funcional.

Es prohibido el traspaso de la información a través del multiplexor, cuando él se encuentra en el estado no escogido (además la salida se encuentra en el estado del nivel bajo). Cada uno los multiplexores tiene por cuatro entradas informativas y las entradas E.0 y Dos de la entrada SED1 y SED2 dirigen al mismo tiempo dos multiplexores.

Por el objetivo del proyecto de curso es la elaboración del bloque del RAM dinámico la capacidad 16 para los mecanismos 8-de descarga de microprocesor y la fijación recibido durante el estudio de la disciplina del ORDENADOR del sistema, los complejos y las redes de los conocimientos por la memoria dinámica.

La regeneración realizada por el algoritmo descrito se llama "transparente": es imperceptible para el microprocesador y no baja la velocidad del tratamiento de los programas. La condición para la aplicación de este modo es la presencia de los intervalos de tiempo entre dos cualesquiera recursos del microprocesador al RAM, suficiente para la realización de un ciclo de la regeneración, e.d. la regeneración al recurso al módulo del RAM a una dirección.

Característico para DBIS fabricados por la MDP-TECNOLOGÍA, es alto de entrada la resistencia. A la definición del número Q de DBIS cargado al TTL-ESQUEMA, es tomada en consideración en general la capacidad de las entradas del microesquema de la memoria.

A la frecuencia nominal del generador 18 la duración del ritmo es igual 5. Si tomar en consideración que a la ejecución de un ciclo de la regeneración de los microesquemas 5653 es necesario 370, es evidente la posibilidad de la realización.

Donde: M- el coeficiente que toma en consideración el número de las categorías el BIS (si el número de las categorías nM =1, =0, de otro modo KM =; KZ - el coeficiente que toma en consideración el tipo (para PZU Z=5, y para el RAM KZ =; E - la capacidad informativa el BIS (en las palas).

El microesquema 5653 por la capacidad informativa 16x1. En su plano estructural (la aplicación entran cumplido en un cristal silíceo la matriz del acumulador que contiene 16384 elementos de la memoria, 128 líneas, situadas sobre las intersecciones, y 128 columnas, 128 amplificadores de la lectura y la regeneración, los decodificadores de las líneas y las columnas, el mecanismo de la dirección, el mecanismo de la entrada-salida y el registro multiplexado de la dirección.

Para la apreciación de la velocidad del microesquema de la memoria en el cálculo aceptan el tiempo del ciclo de la anotación (lectura) t Q, t Q. Otros parámetros temporales son necesarios para el mantenimiento los funcionamientos de los microesquemas en la composición. Los aparatos.

El elemento de apoyo es construido análogamente  Su destino consiste en el mantenimiento de la tensión UO de apoyo c por que el amplificador iguala el potencial del semineumático con escogido y reacciona a la diferencia, que resulta a la comparación

El microesquema 5653 tiene necesidad de tres fuentes de la alimentación y debe tomar en consideración las exigencias por orden de la inclusión y la desconectación de las fuentes de la alimentación: primero incluyen la fuente-5V, y desconectan último. Esta exigencia es condicionada que la tensión-5V se aparta al substrato (cristal) y si de ello no conectar primero, por la influencia, hasta por de corta duración, las tensiones de dos otras fuentes con la tensión 5 y 12 puede pasar en el cristal la aldabilla térmica. El orden de la inclusión de dos otras tensiones de la alimentación puede ser cualquiera.

Donde: Ra - la potencia consumido por el RAM en el régimen de la lectura, la anotación; la Ro-potencia consumido por el RAM en el régimen del almacenaje; la mr-cantidad de las líneas en la matriz del RAM; el tiempo Tts.min-mínimo del ciclo del recurso al módulo del RAM; el Treg-período de la regeneración que determina el intervalo máximo del tiempo entre dos recursos a cada dirección para de la información almacenada.